0
Представители компании Samsung Electronics сообщили о начале массового производства 16-Гбит памяти GDDR6. Отмечается, что память GDDR6 будет пользоваться спросом у производителей игровых устройств и графических адаптеров, автомобильной электроники, оборудования для Сети и систем, работающих на основе ИИ.
При производстве будет использоваться технологический процесс с нормой в 10 нанометров, однако не исключено, что используют техпроцесс на 18 нанометров. Такие процессы подразумевают, что микросхемы Samsung GDDR6 смогут передавать информацию со скоростью 18 гигабайт в секунду. Предыдущие изделия обладали пропускной способностью 16 гигабайт.
Память GDDR6 оказалась также менее энергоемкой. Объем потребления энергии чипом снизился по сравнению с предыдущей версией на 35%. Рабочее напряжение устройства составляет всего 1,35 В, тогда как у версии GDDR5 оно составляло 1,55 В.
